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1999年以来，太阳能电池每年都以35%以上速度发展，2004年全球产量达到1194MW，仍然供不应求。德国实行新的并网电价使光伏发电成为德国很有前途的产业。欧美发达国家和一些发展中国家继续实施庞大的光伏屋顶计划对太阳能电池的需求会更加迫切。
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+ J1 q1 t" [' L$ B⑴代表性太阳电池



; e7 N0 a6 I" f0 A" J9 A; d一些研究机构开发的代表性高效晶体硅电池有：新南威尔士大学的PERC(Passivated emitter and rear cell)、PERT(Passivated emitter, rear totally difused)和PERL(Passivated emitter, rear locally difused)电池；三洋公司的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)、BP公司的可槽埋栅(Buried Contact)电池；Sunpower公司的背电极接触电池(Rear contact solor cell)以及德国Institut fuer Solorenergieforschung Hameln/Emmerthal(ISFH)研究所的OECO(Obliquely evaporated contact)电池。
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2 w* C. I# F* g: J' v  g6 p1 ]①澳大利亚新南威尔士大学光伏器件实验室开发的PERC、PERL和PERT电池：PERC正面采用倒金字塔结构，双面钝化。背电极通过一些分离很远的小孔贯穿钝化层与衬底接触。电池最高效率23.2%。为改进PERC电池性能，该实验室在电池背面增加定域掺杂，即在电极与衬底的接触孔处进行浓硼掺杂，制造出PERL电池。电池效率达到24.7%，电池性能有较大提高。 进行PERL改进的同时，进行了整个背面的全掺杂，制成PERT电池。电池效率达到24.5%。
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②三洋公司的HIT电池：利用n型CZ硅材料作衬底，效率为20.7%，创当时的记录。改进后的HIT效率达到21.2%，保持着大面积电池的领先优势；
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9 B# L6 y. ^0 `. S2 s& l③刻槽埋栅电池：由澳大利利亚新南威尔士大学光伏器件实验室开发。西班牙BP Solor公司购买了专利进行产业化生产。这种电池的结构特点是表面电极通过化学镀埋在硅衬底的沟槽中，电极与沟槽接触部分采用重参杂，表面其他地方进行淡磷扩散。
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6 P: }+ P, I1 I; w1 ?- y8 d  K, B④背电极接触高效电池：美国Sunpower公司产品。完全采用背电极接触方式，正负极交叉排列在背面，前表面没有任何遮挡，p-n结位于背面，效率可达20%以上。
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. f! ]0 w# O9 c' {0 A( B4 v0 H⑤OECO电池：德国ISFH研究所研制的新型单晶硅电池。电池结构基于金属-绝缘体-半导体接触，利用表面沟槽形貌的遮掩在极薄的氧化隧道层上倾斜蒸镀低成本的Al作为电极形成高质量的接触。可以一次性蒸镀大批量电池电极。虽然效率从21.1%降低到20%，但仍属于高效范围，更适合于工艺生产。
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5 H2 |3 F8 |" }5 ~, z8 r⑵太阳电池的发展

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8 y+ S, F; S6 k! }- Z+ W! g% x目前，太阳电池朝着超薄、聚光、多结的高效方向发展。2003年生产出的产品只有40μm厚。聚光可以在较小的面积上实现较高的转化率，还可减低成本；多结可以充分利用太阳能，减少在聚光条件下串联电阻的影响。


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目前开发研究的太阳电池有，颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池、燃料敏化纳米晶太阳电池和所谓第三代太阳电池(Tandem电池、热载流子吸收体)。

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