1 W0 |4 `: E+ w1 H% v. ?# y. g1 q! ` : O9 Z; |2 `0 K( {# C% g* V8 d# b ) v0 Z; S. ?8 H8 f. Z一些研究机构开发的代表性高效晶体硅电池有:新南威尔士大学的PERC(Passivated emitter and rear cell)、PERT(Passivated emitter, rear totally difused)和PERL(Passivated emitter, rear locally difused)电池;三洋公司的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)、BP公司的可槽埋栅(Buried Contact)电池;Sunpower公司的背电极接触电池(Rear contact solor cell)以及德国Institut fuer Solorenergieforschung Hameln/Emmerthal(ISFH)研究所的OECO(Obliquely evaporated contact)电池。 ) W2 _. p5 K; q: |+ X) U" b: Q* n$ W& ` [; w0 v
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①澳大利亚新南威尔士大学光伏器件实验室开发的PERC、PERL和PERT电池:PERC正面采用倒金字塔结构,双面钝化。背电极通过一些分离很远的小孔贯穿钝化层与衬底接触。电池最高效率23.2%。为改进PERC电池性能,该实验室在电池背面增加定域掺杂,即在电极与衬底的接触孔处进行浓硼掺杂,制造出PERL电池。电池效率达到24.7%,电池性能有较大提高。 进行PERL改进的同时,进行了整个背面的全掺杂,制成PERT电池。电池效率达到24.5%。 # J: ]. o& K( J' v2 L" o! D! X3 \/ ^4 _) Y8 v ^% L; T
- e; ?+ f3 w( Y% R; ?( \* { % m% O9 S- y# K②三洋公司的HIT电池:利用n型CZ硅材料作衬底,效率为20.7%,创当时的记录。改进后的HIT效率达到21.2%,保持着大面积电池的领先优势;$ j5 b- @5 A' \. Y M
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③刻槽埋栅电池:由澳大利利亚新南威尔士大学光伏器件实验室开发。西班牙BP Solor公司购买了专利进行产业化生产。这种电池的结构特点是表面电极通过化学镀埋在硅衬底的沟槽中,电极与沟槽接触部分采用重参杂,表面其他地方进行淡磷扩散。 ! L8 @! g6 d# C0 |* ~3 c; F# m5 s F2 G) B
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④背电极接触高效电池:美国Sunpower公司产品。完全采用背电极接触方式,正负极交叉排列在背面,前表面没有任何遮挡,p-n结位于背面,效率可达20%以上。# K) T0 k; U; \* {2 J& q( }
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O4 ]9 L8 L' f. m9 n) r: Q⑤OECO电池:德国ISFH研究所研制的新型单晶硅电池。电池结构基于金属-绝缘体-半导体接触,利用表面沟槽形貌的遮掩在极薄的氧化隧道层上倾斜蒸镀低成本的Al作为电极形成高质量的接触。可以一次性蒸镀大批量电池电极。虽然效率从21.1%降低到20%,但仍属于高效范围,更适合于工艺生产。7 a* s2 `# ] J3 [* \
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⑵太阳电池的发展* Z9 a. {4 }5 |$ ?3 G
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, Y, v( o J1 m目前,太阳电池朝着超薄、聚光、多结的高效方向发展。2003年生产出的产品只有40μm厚。聚光可以在较小的面积上实现较高的转化率,还可减低成本;多结可以充分利用太阳能,减少在聚光条件下串联电阻的影响。+ T& z* m! l7 j- o. Q
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