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请教CT伏安特性拐点问题

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发表于 2008-7-29 07:35:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教
1 r9 l3 y+ ?& L. z1 n" K2 c6 U5 S1 v0 V: P  ?& f# B
1、CT伏安特性的拐点准确的讲是不是就是其饱和点??8 P# q; E: z8 F1 {; ]
- g( Z, B9 r: Q7 `1 c
2、该拐点对应的励磁电流一般是多少安??我们用老外的仪器测试结果一般都是0.1A,对吗??
9 w3 A7 f5 a. T9 _& c0 j8 M( R* |9 {) N: t# K$ H- v
非常感谢!!!-%-90440-%-
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 楼主| 发表于 2008-7-29 19:53:00 | 显示全部楼层
有否大虾帮忙赐教,不胜感激。
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发表于 2008-7-30 21:32:09 | 显示全部楼层
饱和点应该是磁束-励磁电流曲线上励磁电流急剧增加的那个点。
5 j; c- J; h' x还有的说法是那个点的90%处的点。
; W& |! Y6 v: z6 ~饱和点的电流,不同的变流器都不同。" }6 ]6 O5 p" Q* S1 ]
不过,应该变流器的名盘上会有体现的。
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