& i. J# U4 A- t2 L' w主要参数极限值如下: + W {1 H ]# n: n& | L
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1、集电极电压Ucmax 它是允许加在三极管集电结上的最大反向电压。使用时不能超过这个最大值,否则集电结在过大的反向电压作用下,形成很强的电场,使集电极反向电流急剧增加,严重时会导致三极管的损坏; / ~, U# N6 z. d9 A8 Q; o) G
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2、最大集电极直流功耗Pcmax 该项参数与温度有关,温度升高时,该项参数要降低。锗三极管的上限温度是70℃,归三极管的上限温度是150℃。为了提高Pcmax,常采用散热片或强制冷却的方法; + V% T. S. T. D, O5 X4 `5 ~7 D
; m8 y6 S \- f3、反向饱和电流Icbo Icbo一般很小,但其受温度影响很大,随温度增加呈指数上升的趋势。锗三极管的Icbo大且温度特性差,所以在选用三极管时尽量选用硅管。在器件手册中,常给出Iceo,Iceo=(1+β)Icbo,可见Iceo对温度变化更敏感,因此,应选用Iceo小的管子。 1 G( N0 R! D" S& o% m; k; T# W2 |% B" I1 Y, f
4、电流放大倍数 β值的大小与工作点的频率有关,使用前应进行实测。一般来说,β值不是越大越好,β值太大会引起性能不稳定。β值在20~100较好。+ o) a% r2 z$ f+ K# s
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四、电阻器的选用根据电阻体的材料的不同,电阻器可以分为合金型、薄膜型和合成型三类。 4 r9 S q. g' B- T3 N+ o8 y; |
! d, I: {, |# w0 W- p/ Z, U; `1 L1、 薄膜电阻器的选用# I {2 J3 h7 V0 b
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(1)、金属膜电阻器(RJ) 金属膜电阻器的导电膜层为金属或合金材料,性能优良,工作环境温度范围较宽,功率体积比大,有利于设备的小型化。适用于直流、交流和脉冲电路中,额定环境温度为70℃。0 E$ Z. B4 V) M$ y3 Z
* J5 c1 m3 @. w, \. K(2)金属氧化膜电阻器(RY) 金属氧化膜电阻器的导电膜层为金属氧化物,因此,其特点有:电阻器耐热性能好,阻值稳定,不易被氧化,故稳定性高。但由于金属氧化物在潮湿环境中,在直流电压的作用下容易还原,所以RY电阻器尽量不运用于直流电路中。RY电阻器的额定环境温度为70℃。 ! x; y' _2 k* Y# e' F" b6 K # a' X4 K' R d1 A0 I(3)碳膜电阻器(RT) 碳膜电阻器是在真空中利用热分解的方法制造而成的,所以有较高的化学稳定性和较大的电阻率。RT电阻器的阻值范围最宽,温度系数为负值,受电压和频率的影响较小,并且价格便宜,所以适用于各种电路。缺点是功率体积比小,因此体积较大。RT电阻器的额定环境温度较低,为40℃。 5 a2 X- N. F4 x, o$ R; }5 ~* `- Z5 b& w9 n K9 [! n- U- ~ N. H
2、合金电阻器的选用 8 K+ |, m0 I3 D u+ w 5 i Q" ?$ K3 O+ t# {- g合金电阻器包括线绕电阻器、合金箔电阻器和块金属电阻器,内部没有接触电阻,因此不存在非线性和电流噪声,温度系数最低,长期稳定性好,可用作精密电阻器和大功率电阻器。 7 }4 I& g+ N+ i% H8 o' X9 \% @$ ~3 R8 ~- F8 n) O
3、合成电阻器的选用 合成电阻器的电性能指标没有薄膜电阻器好,但其可靠性却优于薄膜电阻器,所以合成电阻器可用于高可靠性要求的设备中。 ) j" f8 E0 ]- N4 h7 a4 j" q " _. [$ o% q9 U! Y5 a7 O3 ]) E/ m' P五、电容器的选用 4 H8 \8 V1 z9 y: {8 r; g) V6 O
# f2 x& ^! s( j1 w- x0 `1、纸介质电容器 * V: p* t8 I- X8 m) ~$ ^# {% z
. o# i: |4 O, S) z+ }纸介质电容器的优点是成本低,缺点是容易老化,热稳定性差,主要用于直流和低频电路中。 ; A" f7 C/ X' \3 X* W# D1 z! S
5 q5 U3 J* f j0 a2、涤纶薄膜电容器1 O" f7 o5 {8 z: t* S; k2 M2 a
7 l( M5 Q% E0 n/ o 涤纶薄膜电容器的电容量和电压范围比较宽,是应用较广的电容器。但是其电参数随温度和频率变化较大,所以多用于频率较低的电路中。 ; Q" _! Y5 i5 j+ W
/ J: {2 n% Q) P3、聚碳酸脂薄膜电容器 9 }2 s2 K* W- {2 j% t. k9 |! ?* g1 f6 {, E# G
聚碳酸脂薄膜电容器的主要优点是能在较高的温度和温度交变的条件下稳定工作,工作温度范围为-55~+125℃,可用于交流和高频电路中。 # Z. v$ _) z4 e# r2 ?+ G; U! o* U, D$ _& @% }$ u4 `1 e4 E
4、瓷介电容器 $ i& B9 h8 c5 r& O) C) d! R+ b. y6 O5 k+ Y. @7 J- |
瓷介电容器的优点是介质损耗低,电容量对频率、温度、电压和时间的稳定性都比较高。常用于要求电容量稳定和温度补偿电路中。 / P9 n; k8 Y# v4 \- I
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5、云母电容器 ! t7 L1 D8 L( t
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云母电容器常用于高频电路中,可作为去耦、旁路等用。单由于内部结构上的缺陷,云母电容器的寿命较低,一般情况下应尽量应用瓷介电容器取代云母电容器。 2 q. O, ]# r" _- i" ?8 g& o" p2 K5 [, ?# k& a/ g" ?' b9 L4 N' E
6、铝电解电容器/ F/ h7 j/ V3 Y7 b8 I# `, y