电子元器件的选用

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　　在各种电子设备和电子电路中，元器件是组成电路的最小单元，合理的选择和使用元器件将保证和提高电路的工作性能和可靠性。而棉队纷繁复杂的各类电子元器件，很多电子爱好者缺少系统的了解，作者查阅相关的资料并结合工作中的经验，总结出以下常用电子元器件的选用方法，希望对广大电子爱好者有所助益。传奇商务在线（www.021le.com）为您提供各种工业电器。 选用电子元器件应该注意以下原则：
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1、 选用能满足整机电气性能指标和可靠性要求的元器件；

, E: r% d  M0 D+ T2、 选用被列入优选手册的元器件或被实践证明产品质量过硬的厂家的产品；

. d6 s; F8 \, r+ i' {3、 尽量压缩品种规格，提高同类元器件的复用率；
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9 P, u2 B4 M3 W& f, U" K. B2 W  \4、 在满足整机电气性能指标和可靠性要求的前提下，选用廉价的元器件和库存元器件；

6 H) e+ d# O  i7 z& g% F5、 尽量优先选用国标或部标的元器件，再选用厂标的元器件。
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" Z2 Z# a( b, j4 O: D9 \: O' s9 ^一、 集成电路的选用集成电路的选用应注意以下几点：
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% _3 m# a6 k$ O5 B9 ?1、 电源电压Vdd不能高于额定电源电压Vcc，否则集成电路会被击穿；

6 C% }6 E! D- `4 E$ }2 a: ?2 c" g3 d2、 输入电压Vin不能高于允许的最大输入电压Vinmax；
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3、 负载电流IOL要小于输入端允许注入的最大电流；
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0 [2 T6 ^* V7 o+ Y) H4、 功耗P要低于电路允许的最大功耗Pmax；
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, h) o4 M/ p' P4 G5 U( v5、选用集成电路时要注意其工作温度范围，Ⅰ类品（军用）为-55~+125℃，Ⅱ类品（工业用）为-40~+85℃，Ⅲ类品为0~+70℃。
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二、 二极管的选用
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1、 选用整流二极管时，应注意下面两个主要参数：

- Z/ M" ~0 |6 K" c7 L$ z（1）、最大正向电流IDM 它表示二极管允许通过的的最大电流值，由材料的材质和接触面积决定。当电流超过这个允许值时，管子将因过度发热而损坏。

（2）、最大反向电压URM 它表示二极管能够允许的反向电流剧增时的反向电压值。当二极管工作在最大反向电压时，应采取限流措施，否则二极管将被击穿。

6 n2 ~4 o0 |' I( ]( {+ `- ~# {2、选用稳压二极管时，选用的管子应符合稳压值的要求。同时还要保证在负载电流最小时，稳压管的功耗不超过其额定功耗。另外，稳压二极管的稳压特性受温度影响很大，所以，在精密稳压电路中，应选用温度系数小的管子。

/ I5 N) o& Y+ H' Y三、三极管的选用在选用三极管时，必须注意三极管的极限值，尤其不能允许这些参数的极限值的组合使用，即不能两个以上的参数的极限值同时被选用。
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主要参数极限值如下：
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6 E% F; ]% [. N5 i# l1、集电极电压Ucmax 它是允许加在三极管集电结上的最大反向电压。使用时不能超过这个最大值，否则集电结在过大的反向电压作用下，形成很强的电场，使集电极反向电流急剧增加，严重时会导致三极管的损坏；
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& I& K  u8 X% x2、最大集电极直流功耗Pcmax 该项参数与温度有关，温度升高时，该项参数要降低。锗三极管的上限温度是70℃，归三极管的上限温度是150℃。为了提高Pcmax，常采用散热片或强制冷却的方法；

3、反向饱和电流Icbo Icbo一般很小，但其受温度影响很大，随温度增加呈指数上升的趋势。锗三极管的Icbo大且温度特性差，所以在选用三极管时尽量选用硅管。在器件手册中，常给出Iceo，Iceo=（1+β）Icbo，可见Iceo对温度变化更敏感，因此，应选用Iceo小的管子。

6 Q7 @# v4 ?$ J5 |# @3 E3 S4、电流放大倍数 β值的大小与工作点的频率有关，使用前应进行实测。一般来说，β值不是越大越好，β值太大会引起性能不稳定。β值在20~100较好。

四、电阻器的选用根据电阻体的材料的不同，电阻器可以分为合金型、薄膜型和合成型三类。
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1、 薄膜电阻器的选用
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4 u1 d: }$ v5 Y7 ?, b! r（1）、金属膜电阻器（RJ） 金属膜电阻器的导电膜层为金属或合金材料，性能优良，工作环境温度范围较宽，功率体积比大，有利于设备的小型化。适用于直流、交流和脉冲电路中，额定环境温度为70℃。
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2 g7 R2 n8 t- D: A（2）金属氧化膜电阻器（RY） 金属氧化膜电阻器的导电膜层为金属氧化物，因此，其特点有：电阻器耐热性能好，阻值稳定，不易被氧化，故稳定性高。但由于金属氧化物在潮湿环境中，在直流电压的作用下容易还原，所以RY电阻器尽量不运用于直流电路中。RY电阻器的额定环境温度为70℃。

（3）碳膜电阻器（RT） 碳膜电阻器是在真空中利用热分解的方法制造而成的，所以有较高的化学稳定性和较大的电阻率。RT电阻器的阻值范围最宽，温度系数为负值，受电压和频率的影响较小，并且价格便宜，所以适用于各种电路。缺点是功率体积比小，因此体积较大。RT电阻器的额定环境温度较低，为40℃。

0 p* x8 B/ x: q' [$ ^2 m2、合金电阻器的选用

; d# z% R7 U+ q: N  p( X合金电阻器包括线绕电阻器、合金箔电阻器和块金属电阻器，内部没有接触电阻，因此不存在非线性和电流噪声，温度系数最低，长期稳定性好，可用作精密电阻器和大功率电阻器。
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3、合成电阻器的选用 合成电阻器的电性能指标没有薄膜电阻器好，但其可靠性却优于薄膜电阻器，所以合成电阻器可用于高可靠性要求的设备中。

五、电容器的选用

8 W/ n5 M! ]6 _3 @' `1、纸介质电容器

纸介质电容器的优点是成本低，缺点是容易老化，热稳定性差，主要用于直流和低频电路中。

2、涤纶薄膜电容器

涤纶薄膜电容器的电容量和电压范围比较宽，是应用较广的电容器。但是其电参数随温度和频率变化较大，所以多用于频率较低的电路中。

# ]5 H) v0 l+ m! E0 ^: F% f3、聚碳酸脂薄膜电容器
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聚碳酸脂薄膜电容器的主要优点是能在较高的温度和温度交变的条件下稳定工作，工作温度范围为-55~+125℃，可用于交流和高频电路中。
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! X. ?0 x) w! q' s( I! U9 ^4、瓷介电容器

4 N! i0 E0 n& D; i# M瓷介电容器的优点是介质损耗低，电容量对频率、温度、电压和时间的稳定性都比较高。常用于要求电容量稳定和温度补偿电路中。

9 U& y# M& A% j5、云母电容器
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云母电容器常用于高频电路中，可作为去耦、旁路等用。单由于内部结构上的缺陷，云母电容器的寿命较低，一般情况下应尽量应用瓷介电容器取代云母电容器。
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6、铝电解电容器
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& {9 [" p/ d& K! }  f 铝电解电容器的精度低，稳定性差，所以只能用于要求容量大，对准确度要求不高的滤波和旁路电路中。在潮湿环境中，最好不使用铝电解电容器。

. O" R8 [# V% m! }& Q 7、钽电解电容器
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, \+ G% E9 C% h7 x( z3 r' V; W+ ~! M' T钽电解电容器的特点是漏电流小，寿命长，搁置性能好，温度和频率特性好，但价格较高，多用于环境条件要求比较苛刻的军用电子设备中。液体钽电解电容器的性能比固体钽电解电容器的性能差。

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很多年前的资料也要顶一下

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现在用这种特殊电阻的人少多了吧

redplum

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