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发表于 2007-12-14 18:28:38
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第一章思考题与习题
第一章思考题与习题+ I# O) y1 m* H$ R" x9 n7 n& a
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1-1.功率二极管在电力电子电路中有哪些用途?( p# t& D+ {5 N: {# `: x
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1-2.说明晶闸管的基本工作原理。在哪些情况下,晶闸管可以从断态转变为通态?已处于通态的晶闸管,撤除其驱动电流为什么不能关断,怎样才能关断晶闸管?
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1-3.把一个晶闸管与灯泡串联,加上交流电压,如图1-37所示) x9 k4 k, d/ s4 p- h+ O9 T
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图 1-37
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8 ?4 f7 i' ]6 L0 e6 c& M8 m" g问:(1)开关S闭合前灯泡亮不亮?
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1 b# g% |& E7 y1 P(2)开关S闭合后灯泡亮不亮?/ o6 ]* j$ K/ B# S0 L
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(3)开关S闭合一段时间后再打开,断开开关后灯泡亮不亮?原因是什么?& a3 ^* U) V! h/ [2 j% M$ ^
6 M. H( V" D4 C" z6 h1-4.在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠,可能是什么现象和原因?冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因?' C- Y8 R I: o: V" I
7 e+ u; N, ?4 G5 L n: T2 J1-5.型号为KP100-3,维持电流IH=4mA的晶闸管,使用在如图1-38电路中是否合理?为什么?(分析时不考虑电压、电流裕量)?- S K& M* Z8 m) S, t
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(a) (b) (c) # g! k0 P! i: b3 }* e7 M
; U! G) i C& l3 \' }& g9 ~0 \6 F图 1-38 习题5图, b8 c1 K% A& H6 [) q9 Q5 ?3 Q: t U1 G
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1-6.用正弦波电压加于晶闸管上,晶闸管的正、反向漏电流波形也是正弦的吗?流过正弦半波电流时,元件的管压降波形是怎样的? 9 ^# k4 D* \$ d- N5 y, f3 H( i
" S: w: j; L; j1-7.如图1-39,当不接负载电阻Rd时,发现改变晶闸管的触发脉冲相位(即触发脉冲相对于交流阳极电压过零点的时刻)电压表的读数总是很小;而当接上负载后就一切工作正常。试问是什么原因?
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图 1-39 图 1-402 l: e& G5 v7 \& |
8 e5 n( e# R: q& m1-8.直流电源电压U=220V,经晶闸管VT对负载供电、负载电阻R=20Ω,电感L=1H,晶闸管擎住电流IL=55mA,维持电流IH=22mA,用一个方波脉冲电流触发晶闸管。试计算:9 `" r+ [5 _" W1 t
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1) 如果负载电阻R=20Ω,触发脉冲的宽度为300μs,可否使晶闸管可靠地开通?" h2 t" c" V7 p& ~" l) [( g
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2) 如果晶闸管已处于通态,在电路中增加一个lkΩ的电阻能否使晶闸管从通态转入断态?5 n2 G5 f4 F1 F! s$ F
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1-9.如图1-40所示,当VT2触发导通时利用电容C上已充电的电压使VT1关断。现发现当C太小时,VT2导通时VT1关不断,试问是何原因?, ?; \; Z' F- d+ u2 s- U5 h6 e7 p1 Y
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1-10.图1-41中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为Im。试计算各电流波形的平均值Id1、Id2、Id3,电流有效值I1、I2、I3和它们的波形系数Kf1、Kf2、Kf3。
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3 S% h: T" h# I' ]图 1-41 % c7 [$ n/ ^# q) q k
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1-11.上题中如若不考虑安全裕量,问额定电流为100A的晶闸管能送出平均值电流Id1、Id2、Id3各多少安倍?相应的电流最大值Im1、Im2、Im3又各多少安倍?3 i0 k3 C2 Q$ q. ~- h
8 E$ c, M8 D# \2 W4 y. V4 f. v5 }1-12.单相正弦交流电源,晶闸管和负载电阻串联,交流电源电压有效值220V。试计算晶闸管实际承受的正、反向电压最高是多少?考虑晶闸管的电压安全裕量为3倍,其额定电压应如何选取?; V$ F$ w* m5 H& w
|1 F; K2 X. p# `5 \ l% h5 \1-13.设上题中晶闸管的通态平均电流为100A,考虑晶闸管的电流安全裕量为2倍,试分别计算导电角为180°和90°时,电路允许的峰值电流各是多少?
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! B" h* L4 [. \& Z! ^1-14.如图1-42所示,画出负载Rd上的电压波形(不计管压降)。
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图 1-42$ `' ]9 W) K+ K+ X/ K8 ~
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1-15.如图1-43所示,在t1时刻合上开关S,t2时刻断开开关S,试画出负载上的电压波形(不计管压降)。3 {* ?, l. _7 w9 T
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图 1-43
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# D: `& }& p/ j6 d" H1-16.说明GTO的关断原理。
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" ?4 w8 Y* X! k/ I7 O1-17.描述GTR的二次击穿特性。
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1-18.为什么GTR在开关瞬变过程中易被击穿?有什么措施预防?2 z& p6 I! t6 I" ~" V
+ ~: S9 x z, N) p! J9 d1-19.作为开关使用时P-MOSFET器件主要的优缺点是什么? 如何应用这些优点、避免这些缺点?
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1-20.P-MOSFET器件使用中应注意什么??; v$ x" Z& Z, q* C
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1-21.IGBT有哪些突出优点??0 S6 Z; U; I' {. I8 [
. o$ P' M% e1 m: c. K' q, s) `# e1-22.什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?) Z' |9 J b5 c) i. r
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1-23.对GTR、P-MOSFET及IGBT进行比较(导电机构、开关特性、优缺点及应用范围)。
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, s) {& u! @( K6 `1 Z5 v! c4 f 1-24.比较MOS控制晶闸管MCT与静电感应晶体管SIT的通—断控制机理。 |
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