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发表于 2007-12-14 18:28:38
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第一章思考题与习题
第一章思考题与习题
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, t7 q }6 Q! i5 m1-1.功率二极管在电力电子电路中有哪些用途?
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: n4 _3 H% f4 I" D& p# k1-2.说明晶闸管的基本工作原理。在哪些情况下,晶闸管可以从断态转变为通态?已处于通态的晶闸管,撤除其驱动电流为什么不能关断,怎样才能关断晶闸管?# u' S9 F5 J* N* o1 G+ K" P. l7 g( w
4 o7 h7 R3 n' K2 G2 G: |1-3.把一个晶闸管与灯泡串联,加上交流电压,如图1-37所示
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. O1 E2 q& w; ^3 U+ }- O图 1-37$ D) | { _1 {" I/ [" H
1 C, i, G4 p# U V _问:(1)开关S闭合前灯泡亮不亮?
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* B8 b* x9 n4 Z0 M# L8 b(2)开关S闭合后灯泡亮不亮?
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(3)开关S闭合一段时间后再打开,断开开关后灯泡亮不亮?原因是什么?
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5 H, M _* z: s9 F- c6 ^9 p1-4.在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠,可能是什么现象和原因?冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因?
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1-5.型号为KP100-3,维持电流IH=4mA的晶闸管,使用在如图1-38电路中是否合理?为什么?(分析时不考虑电压、电流裕量)? l, V4 ^5 ?: P8 V
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7 P$ l# Z, a8 {( R% n图 1-38 习题5图
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- ]6 U* a: Q. I/ ?& g2 X1-6.用正弦波电压加于晶闸管上,晶闸管的正、反向漏电流波形也是正弦的吗?流过正弦半波电流时,元件的管压降波形是怎样的?
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1-7.如图1-39,当不接负载电阻Rd时,发现改变晶闸管的触发脉冲相位(即触发脉冲相对于交流阳极电压过零点的时刻)电压表的读数总是很小;而当接上负载后就一切工作正常。试问是什么原因?
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图 1-39 图 1-40% K7 X: B. X' O( S' u
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1-8.直流电源电压U=220V,经晶闸管VT对负载供电、负载电阻R=20Ω,电感L=1H,晶闸管擎住电流IL=55mA,维持电流IH=22mA,用一个方波脉冲电流触发晶闸管。试计算:1 h$ ?. {' i5 u2 a* v
& x" {3 f% g* |. \4 a7 Y/ v 1) 如果负载电阻R=20Ω,触发脉冲的宽度为300μs,可否使晶闸管可靠地开通?! \3 O7 o, M4 p" u" Q4 }. m
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2) 如果晶闸管已处于通态,在电路中增加一个lkΩ的电阻能否使晶闸管从通态转入断态?
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1-9.如图1-40所示,当VT2触发导通时利用电容C上已充电的电压使VT1关断。现发现当C太小时,VT2导通时VT1关不断,试问是何原因?7 n; }. J- L1 z/ s8 p
' U" H5 a6 j5 W3 p$ }4 O1-10.图1-41中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为Im。试计算各电流波形的平均值Id1、Id2、Id3,电流有效值I1、I2、I3和它们的波形系数Kf1、Kf2、Kf3。/ x2 T- ~& A$ y% ^4 q2 v1 ^! C7 w/ p
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图 1-41
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1-11.上题中如若不考虑安全裕量,问额定电流为100A的晶闸管能送出平均值电流Id1、Id2、Id3各多少安倍?相应的电流最大值Im1、Im2、Im3又各多少安倍?
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; `. n$ l* E7 c; G" E9 T1-12.单相正弦交流电源,晶闸管和负载电阻串联,交流电源电压有效值220V。试计算晶闸管实际承受的正、反向电压最高是多少?考虑晶闸管的电压安全裕量为3倍,其额定电压应如何选取?9 _8 F9 C0 X3 {' | D) e
# d5 c8 R" H% }. w1-13.设上题中晶闸管的通态平均电流为100A,考虑晶闸管的电流安全裕量为2倍,试分别计算导电角为180°和90°时,电路允许的峰值电流各是多少?
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1-14.如图1-42所示,画出负载Rd上的电压波形(不计管压降)。4 ?: d# j% F4 \* i
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图 1-42
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1-15.如图1-43所示,在t1时刻合上开关S,t2时刻断开开关S,试画出负载上的电压波形(不计管压降)。- B! t% z. I% L' ^* h$ I
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图 1-43& D4 H& P! A7 i, }0 A
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1-16.说明GTO的关断原理。
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1-17.描述GTR的二次击穿特性。
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' x( m6 Z' f1 S3 ]' w4 K1-18.为什么GTR在开关瞬变过程中易被击穿?有什么措施预防?
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1-19.作为开关使用时P-MOSFET器件主要的优缺点是什么? 如何应用这些优点、避免这些缺点?6 `% R/ ?/ ~' e4 P- G, O
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1-20.P-MOSFET器件使用中应注意什么??8 I0 }* K6 R* N4 ~' L( e. J
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1-21.IGBT有哪些突出优点??* A) _2 Z* I3 I- q! S
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1-22.什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?
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1-23.对GTR、P-MOSFET及IGBT进行比较(导电机构、开关特性、优缺点及应用范围)。
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4 O0 X8 S- W3 t3 { 1-24.比较MOS控制晶闸管MCT与静电感应晶体管SIT的通—断控制机理。 |
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