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发表于 2007-12-14 18:28:38
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第一章思考题与习题
第一章思考题与习题6 C& P8 {0 Z2 A- [8 W% i1 h; v4 S
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4 z- s/ E0 g9 k2 b, ?( e- D! F1-1.功率二极管在电力电子电路中有哪些用途?
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+ n* G4 p$ r; {$ H( W7 T1-2.说明晶闸管的基本工作原理。在哪些情况下,晶闸管可以从断态转变为通态?已处于通态的晶闸管,撤除其驱动电流为什么不能关断,怎样才能关断晶闸管?
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' d( s0 m. c# n$ U( G. w1-3.把一个晶闸管与灯泡串联,加上交流电压,如图1-37所示" `) c; f Q7 I- [( J' ?
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图 1-376 m* L8 v. \8 E/ G. w# P/ o
/ f/ Z* h% K$ n E" q9 [/ L+ h: Y问:(1)开关S闭合前灯泡亮不亮?
( a h' D/ {9 r2 l9 V
# {: P3 B# ^1 y& M C(2)开关S闭合后灯泡亮不亮?
! P! O( i! W7 H0 `2 ~# q8 D) A; ] L; d0 r9 X
(3)开关S闭合一段时间后再打开,断开开关后灯泡亮不亮?原因是什么?/ K# O" E" [- ?
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1-4.在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠,可能是什么现象和原因?冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因?5 E6 S/ K# k0 z: J) n. @" Z
* M7 I! \) q- k. K: |1-5.型号为KP100-3,维持电流IH=4mA的晶闸管,使用在如图1-38电路中是否合理?为什么?(分析时不考虑电压、电流裕量)?
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8 u: m' R; h1 {, @6 u- z (a) (b) (c) 2 X8 \" A0 _' ]2 M; D
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图 1-38 习题5图- _7 F2 A, g, ?
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1-6.用正弦波电压加于晶闸管上,晶闸管的正、反向漏电流波形也是正弦的吗?流过正弦半波电流时,元件的管压降波形是怎样的?
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1-7.如图1-39,当不接负载电阻Rd时,发现改变晶闸管的触发脉冲相位(即触发脉冲相对于交流阳极电压过零点的时刻)电压表的读数总是很小;而当接上负载后就一切工作正常。试问是什么原因?' f u7 f* D" g. g6 v1 [
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6 a7 ^7 |1 L4 B# A" k1 j( U3 a图 1-39 图 1-40; p V X' _4 M0 u6 ]
5 i2 I% k7 p7 ?9 x: R% r1-8.直流电源电压U=220V,经晶闸管VT对负载供电、负载电阻R=20Ω,电感L=1H,晶闸管擎住电流IL=55mA,维持电流IH=22mA,用一个方波脉冲电流触发晶闸管。试计算:$ T' a9 b% k6 z# C/ p A7 V
" D0 w/ [. _. U2 q 1) 如果负载电阻R=20Ω,触发脉冲的宽度为300μs,可否使晶闸管可靠地开通?4 @4 Q, V1 j2 k! S& s6 \* \
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2) 如果晶闸管已处于通态,在电路中增加一个lkΩ的电阻能否使晶闸管从通态转入断态?
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1-9.如图1-40所示,当VT2触发导通时利用电容C上已充电的电压使VT1关断。现发现当C太小时,VT2导通时VT1关不断,试问是何原因?
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1-10.图1-41中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为Im。试计算各电流波形的平均值Id1、Id2、Id3,电流有效值I1、I2、I3和它们的波形系数Kf1、Kf2、Kf3。
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(1) (2) (3)
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图 1-41
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) n* \5 `5 B5 N. u+ @9 ~" ^: K# d1-11.上题中如若不考虑安全裕量,问额定电流为100A的晶闸管能送出平均值电流Id1、Id2、Id3各多少安倍?相应的电流最大值Im1、Im2、Im3又各多少安倍?( O. Y! M) |+ P; R$ `7 P6 b
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1-12.单相正弦交流电源,晶闸管和负载电阻串联,交流电源电压有效值220V。试计算晶闸管实际承受的正、反向电压最高是多少?考虑晶闸管的电压安全裕量为3倍,其额定电压应如何选取?
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1-13.设上题中晶闸管的通态平均电流为100A,考虑晶闸管的电流安全裕量为2倍,试分别计算导电角为180°和90°时,电路允许的峰值电流各是多少?9 M5 H8 `8 y B7 A3 Y
5 k/ _7 F9 [4 C4 [0 T0 {1-14.如图1-42所示,画出负载Rd上的电压波形(不计管压降)。
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+ Q' K5 a }& y0 G图 1-42
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1-15.如图1-43所示,在t1时刻合上开关S,t2时刻断开开关S,试画出负载上的电压波形(不计管压降)。1 }, k8 [0 f" w
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图 1-436 s f2 |: M5 v( d4 X% `
0 G; W" Z% Z2 j; D0 M" A R7 d1-16.说明GTO的关断原理。
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% S' n3 l8 r+ k7 N2 ^- U( t1-17.描述GTR的二次击穿特性。; z; Z( @8 w" Q- I" O, l/ k
( E6 O, Z! E, h7 T+ h1-18.为什么GTR在开关瞬变过程中易被击穿?有什么措施预防?9 T& N1 T0 j% ^* _9 o8 Q
: n9 P4 K0 q w6 v9 U. I1 i* d) o1-19.作为开关使用时P-MOSFET器件主要的优缺点是什么? 如何应用这些优点、避免这些缺点?6 h9 l5 f# |& p* P3 u- E6 B
, n0 Z# V+ l+ l* p: x% h1-20.P-MOSFET器件使用中应注意什么??% t, z3 Q; g# N& O! d1 @7 f) E
# L6 r8 u! S( d) U8 H0 b, K1-21.IGBT有哪些突出优点??
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1-22.什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?* K) T7 @! g' Q( |
: n& D# J2 |# r) Z4 o1-23.对GTR、P-MOSFET及IGBT进行比较(导电机构、开关特性、优缺点及应用范围)。" V7 D$ x+ e/ l3 H
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1-24.比较MOS控制晶闸管MCT与静电感应晶体管SIT的通—断控制机理。 |
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