直接原因过流过热,间接原因就多了
要控制电流的变化率
一个桥臂的两个IGBT死区时间太短,造成Buss短接,大电流通过IGBT使IGBT过热而爆炸。
肯定有大的能量消耗,比如短路。。。。。
哈哈,不错,IGBT工艺非常重要
过流 过压 过热 都可以引起!!!!!!
过流,这一点在MOSFET上体现的跟明显,稍微过流就烧坏管子,严重时还会爆炸。
主要是过压、过流、过热三个方面
本帖最后由 normahxh_002 于 2010-1-6 20:37 编辑
过压会直接导致CE之间的PN结击穿,过流、过热会导致载流子发生雪崩效应。
