大家交流一下IGBT爆炸的原因吧

mouseluo · 发表于 2009-6-26 11:06:54

直接原因过流过热,间接原因就多了

luckshihe · 发表于 2009-7-24 12:02:04

要控制电流的变化率

yangjunyi588 · 发表于 2009-10-10 12:19:58

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richsmith · 发表于 2009-10-11 11:46:06

一个桥臂的两个IGBT死区时间太短，造成Buss短接，大电流通过IGBT使IGBT过热而爆炸。

ramberer · 发表于 2009-12-4 12:05:45

肯定有大的能量消耗，比如短路。。。。。

youhy2008 · 发表于 2009-12-7 20:36:55

哈哈，不错，IGBT工艺非常重要

liubingzheng · 发表于 2009-12-24 11:02:09

过流过压过热都可以引起！！！！！！

shenkehit · 发表于 2009-12-24 18:19:39

过流，这一点在MOSFET上体现的跟明显，稍微过流就烧坏管子，严重时还会爆炸。

normahxh_002 · 发表于 2010-1-6 20:31:50

主要是过压、过流、过热三个方面

normahxh_002 · 发表于 2010-1-6 20:33:52

本帖最后由 normahxh_002 于 2010-1-6 20:37 编辑

过压会直接导致CE之间的PN结击穿，过流、过热会导致载流子发生雪崩效应。

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