交流社区 › 电力电子与电力传动 › 大家交流一下IGBT爆炸的原因吧

zjj317 发表于 2010-1-24 00:39:05

如果是由于自己的驱动做的不好导致故障时IGBT爆炸，
则需要确定IGBT本身要求的保护时间（比如10us）是否于驱动板相匹配，
还有驱动电阻是否合适，IGBT软关断电阻是否合适。

lion3000 发表于 2010-2-25 16:26:39

别认为自己什么都能搞定，没有实力就别自己搞模块，死路一条！

dltj 发表于 2010-3-7 19:14:09

最根本的是结温吧，当然造成结温过高的原因就复杂了

gleb 发表于 2010-9-17 06:28:53

短时间内电流太大

blade 发表于 2010-10-25 09:33:46

一般都是过流，呵呵

pgdb 发表于 2010-11-27 11:35:01

见过驱动问题引起的爆炸。

turnfey 发表于 2010-11-29 13:13:44

爆IGBT的原因两种：过压和过流。
IGBT对过压是很敏感的，在IGBT开关过程中，由于存在着IGBT引线电感和线路电感，会造成电压尖峰加在IGBT两端。为了避免过压损坏IGBT，一般需要加缓冲电路限制电压尖峰，同时应从布线与工艺方面考虑，减小线路电感。
过流烧坏IGBT的原理是，过流引发IBGT的PN过热，导致热击穿，所以IGBT对过流并不是很敏感，具有短时过流的承受能力的。IGBT所能承受的过流电流大小和时间长短，和散热条件有关。同一个桥臂的两个IGBT直通是最容易造成过流烧坏IGBT的，这是必需避免的，做法是保证桥臂上下两管的驱动信号极性相反，且加入死区时间。

jiaosheng1981 发表于 2010-12-5 22:18:04

原因很多呀，要具体问题具体分析呀。

vikki 发表于 2011-2-22 09:38:13

IGBT失效主要为：瞬时过压或因瞬时过流引起的过温烧毁。
引起的原因因所在系统，电路拓扑不同有差异。
如想对IGBT有更深入了解可看下：Vinod Kumar Khanna 的<<The insulated gate bipolar transistor IGBT theory and design>>

lubinwangzi 发表于 2011-2-22 11:12:07

死区时间没有设置好

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