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发表于 2007-12-14 18:31:09
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第二章思考题与习题
第二章思考题与习题
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2-1．由晶闸管构成的主电路对触发脉冲有哪些要求？为什么必须满足这些要求？) L6 |- r1 I0 J( \9 \' y
% t2 ]; }' {0 I: f2-2．单结晶体管同步振荡电路是怎样实现同步的？电路中的Re选得过大或过小对电路工作会有什么影响？为什么？
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2-3．一个移相触发电路，一般应由哪些环节组成？以锯齿波同步移相触发电路为例来进行说明。?* h# B. | D8 I* k8 d! {
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2-4．在锯齿波同步移相触发电路中，双脉冲是如何产生的？为什么电源电压的波动和波形畸变对锯齿波同步移相触发电路影响较小？?
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4 G- I+ e1 @, _2-5．一个三相桥式可控整流电路，采用图2-9所示的锯齿波同步移相触发电路。?6 e* j% p# c; l0 n
5 m! n: |* R7 l( J% R6 k1）如果发现输出直流电压的波头有高有低，可能是什么原因引起的？?) ~* T3 j+ L* H; K
: b, Q$ h9 ]( W% `' d$ E# G7 v2）如果把原来的双窄脉冲触发方式改为宽脉冲触发方式，触发电路应作哪些调整？) E. B0 b/ {1 |6 W# @
0 s e7 ^9 Q( E( F `: E2-6．证明单结晶体管脉冲移相电路的触发脉冲周期为，式中分压比。?
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2-7．三相全控桥采用带滤波器的正弦波触发器，滤波滞后60º，同步环节的晶体管采用NPN型硅管，主变压器连接组为△/Ｙ-5，同步变压器的连接组为△/Ｙ-3和△/Ｙ-9，试求各元件触发电路的同步电压，并列表表示。?/ r; m l8 L' X! G6 N# f
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2-8．双脉冲形成器的原理电路如图2-56a）所示，图中端16接15Ｖ电源，端7接低电压，端1～6的输入分别来自3块KC04的输出端，而相位关系如b）图所示，画出端10～15的波形。0 G0 r4 t& d& D. N
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图2-56 双脉冲形成器原理图?7 L; Y5 ^& p7 i) A v* G: f
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2-9．图2-18中的锯齿波同步移相触发电路的同步环节采用PNP晶体管，RC滤波网络的移相角为60º，求：?8 b, A* z) [) L. v1 x0 Y
: K; v9 J# f0 c1）同步信号电uTa与对应的晶闸管阳极电压ua的相位关系。?! ]" D5 Y" `, m2 L2 |
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2）确定同步变压器的连接组，同时列出晶闸管阳极电压和同步信号电压的对应关系表。
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# W6 ` e* s2 E, z% B* j; l$ v% _2-10．三相全控桥的主回路直接由三相电源经进线电抗器直接连到晶闸管（可认为连接组为Y/Ｙ-12），同步变压器为△/Ｙ-1，△/Ｙ-7连接组。触发器采用正弦波同步移相触发电路，其中同步环节采用NPN晶体管，RC滤波，滤波后相位滞后30º，变流器要求能整流与逆变运行，试选择同步信号电压。分析时可忽略进线电抗器的相移。?
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# ~/ S- z5 ^6 X6 H4 C. Y" @0 T3 Q2-11．在上题中，主回路和同步变压器都不变，将触发器改为同步环节采用NPN晶体管的锯齿波同步移相触发电路。试选择同步信号电压。此时是否要加RC滤波环节，如要加，则它移相多少度？?" B5 |- f) c I( N3 Q6 D
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2-12．在有晶闸管串联的高压变流装置中，晶闸管两端并接阻容吸收电路可起到几种保护作用？- e* x7 e# D! t
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2-13．发生过电流的原因有哪些？可以采取哪些过电流保护措施？它们的保护作用先后次序应如何安排？# o3 s# v6 ~$ X6 l& [: y
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2-14．出图2-57中①～⑨各保护元件及VDF、Ｌd的名称及作用。（LJ为过流继电器）
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) z4 R% j6 V* H' m3 o( I3 u2-15．不使用过电压、过电流保护，选用较高电压等级与较大电流等级的晶闸管行不行？
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}, B2 ^. M) R2 n# S. G2-16．画出GTO理想的门极驱动电流波形，并说明门极开通和关断脉冲的参数要求。7 O1 a0 W5 D1 y9 K
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2-17．图2-58所示为某电力晶体管驱动模块电路，采用正、负双电源供电。控制信号经光电耦合三极管进入驱动电路，当Ｓ为高电平时，光电管导通，使VT2和VT3导通。VT2导通使VT1导通，VT3导通致使VT4和VT5截止，此时送出正的基极驱动电流Ib1。当Ｓ为低电平时，光电管截止，使VT2和VT3截止，致使VT1截止而VT4和VT5导通，送出负的基极电流Ib2。此电路的优点是控制无死区，调节电阻R1和R2能方便地改变Ib1和Ib2的数值。试在此电路基础上，加抗饱和电路环节（贝克钳位电路）使电力晶体管在导通期间始终处于临界饱和状态，妥善解决其基极电流的自动调节问题。
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& E. j# A8 t4 `8 N: \. i图2-57 三相桥式整流电路的保护6 F. b4 L8 O, @$ H8 h
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5 d, s: o: M/ K A9 a图2-58 驱动模块电路1 C0 e, C! M- U
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2-18．说明功率场效应晶体管的开通和关断驱动特性。: Z# L9 j2 J, z9 p" k
: t/ a/ g8 G- U0 U, u2-19．试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
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2-20．TR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
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- a& ^7 p, G5 l* U2-21．GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准？
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( K: |5 ^: j, b2-22．GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？
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2-23．某直流电动机，额定电压750Ｖ，额定电流780Ａ，短时最大电流1200Ａ，准备采用三相桥式可控整流电路供电。试选择变压器及晶闸管（因条件限制，规定单只晶闸管定额不超过1500Ｖ，500Ａ） |
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狗仔卡
发表于 2007-12-14 18:25:08
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发表于 2007-12-15 16:38:01
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