评“二控三型TSC快速重复投切晶闸管闭锁问题研究”

gongxuechang · 发表于 2013-11-16 13:30:04

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“二控三型TSC快速重复投切晶闸管闭锁问题研究”一文，严重地忽略了并联电容补偿装置中必须串联电感这一关建参数，因此得出的结论没有适用意义。与现有的“三控三”方式相比，存在着可控硅和电容的耐压要求高，可控硅的热损耗大，电容器利用率低，在后关断相还要产生很大地谐波电流，没有达到零过渡要求等缺点。

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redplum · 发表于 2013-11-17 09:16:05

感谢楼主的资料

周沭铭 · 发表于 2013-11-17 10:11:00

顶起来

gongxuechang · 发表于 2014-7-8 11:39:44

ddiinngg

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