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关于晶闸管串联调压无功补偿装置(TCC)高压试验方案(初步意见)4 n4 j5 A5 ?# J$ W# @+ s
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0 G q5 O, P4 ~
一. 实验内容:
, j. e: L1 A) T+ ~! k1. 形式试验:考虑只进行一相。8 b6 G: C4 w4 p! J- g/ F! J# g ^
1) 阀对地交流耐压试验2 P' O [& N, O& z
2) 阀对地雷电冲击试验
# ]- g! j! r& F# v; p3) 阀端对地直流耐压试验' G: h l. B) o3 p- o7 p+ K: M
4) 运行试验(包括低压状态晶闸管静态均压和动态均压测试及10KV运行试验)' `9 e: i0 N& q- I) _! |
5) 温升试验% f, y' h% ?- p0 N, _
因为一相TCC装置的晶闸管阀组是由多个晶闸管开关按桥接方式(二桥或者三桥)构成一个整体(不想TCR那样阀组分成两部分,中间串联电抗器,正常运行时,同相二阀承受线电压)故不需要阀端间的绝缘试验;
3 e' y& [1 |; j' I- K" H- J. ^: ~2. TCC装置性能测试:
& \7 v: G: K' CTCC装置的研发是定位在这样一个基点:技术性能具有SVC型动态无功补偿装置的基本特征(响应快,冲击电流小,能快速频繁调节),其原理特征类似于纯TSC构成的SVC;通过反复比较分析。TCC装置要比现在的各型SVC经济性能好,比STATCOM造价更低,它属于动态无功补偿装置性价比比较高的一个大众产品,这就是我们研发TCC装置的出发点。由于本实验的TCC装置是国内(国外也不见文献)首先研发,其基本性能能否实现,都还存在风险,不可能首台样机就花大量投资,大量人力去实现SVC型动态无功补偿装置技术规范所需要的性能。本实验只是测试最基本的技术性能(按现有控制系统的硬件设计)。
' O7 z$ j$ [- w, A) T4 ^1) 系统响应时间:SVC一般为30ms~50ms) w% ?$ y7 @+ R, ?" ] w5 w0 R
根据本装置控制响应时间约15ms计。改进数据采集处理算法,应该可达到。但主控系统和触发控制是通过通讯连接,这可能影响系统响应时间。
5 k* b P# e% i0 v( A8 \; z2) 镇定时间:输入阶跃响应,SVC达到要求输出值±5%范围内的I间。其时间要求可能会达到,但误差范围若为20级TCC装置可达到,但本实验TCC装置为7级,平均无功级差为12.5%,实现不了±5%。
/ z! ]- G& R. J+ }, I p: S& u3) I(V)特性和Q(V)特性测试:可进行。应和SVC一样,但是分级的,且I<0,Q<0.(规定态性为正)
8 G( ?/ {; d, T' m" {) U4) 参考电压Ur%=(0.95~1.05)Un;可人为整定实现。8 J1 N" a6 _1 j+ D$ J3 ~
5) 调差率Xl%=-5%~+5%(实现逆调压,恒调压或顺调压,可人为整定实现);
- S G7 _; y5 K3 p6 G4 u6) TCC装置各种保护动作及延时测试;
4 u0 a5 u7 K* s2 G) I7) 模拟量采集,波形,精度(大小,相位,相序测试);6 w9 ^7 m5 s3 L z5 L- [$ Z
8) 手调各级稳态系统参数(含调节范围)和稳态电流波形测试;
( O& M$ w, ~& |4 D( p9) 手调换级有关电流,电压暂态波形测试;
0 |% s, ~) X4 C' ~, @10)保护定值(指软件)和控制参数整定测试;" S: W4 E7 V1 v* Q" ^) R' t
11)控制功能测试;
) ^7 n( l( F- x! _0 x5 F a)恒无功功率调节(三相)b)COSφ调节;c)恒无功电流调节(可分相)d)按调差率XL%进行电压调节,以上四者均有调节死区。6 H1 \ [: g/ Q# _. a4 f9 U; s
消除电压闪变,员序补(或称非对称补偿或称对称电压补偿)涉及比较复杂算法,本样机装置未考虑(按协议)。
0 s( Q" a$ Q2 \(2)其他控制功能:
) T7 W4 Y3 n/ Z0 s6 O( } a)电压过高强降,电压过低补偿可实现,但测试有困难;9 J, {- t& a. B) O* C2 Z, o' [( H
(3)装置具有一定的基本监测功能和综自的通讯功能。& Y% O3 P, M7 U# }/ B6 T
二.实验内容的地点和实验方法;
5 j0 F# w( u' Q3 u7 W! M3 h1 ^* z根据初步分析,下列内容必须在电科院实验。) N9 n7 \, a: {- L" Y# d8 l2 K
送试设备只需一相晶闸管开关装置及所配的光电触发系统,其余设备可不送。
! m; F: H" k+ P5 f2 i3 Va)交流耐压试验;b)雷电冲击试验;c)直流耐压试验;d)温升试验;e)低压状态静态试验;f)低压低触发试验;g)10KV运行试验的部分内容;h)压敏电阻同流测试;其试验方法基本和TCR差不多,但接线不一样,实验细节不一样。f).g)两个试验内容需要触发控制板配合,可设计制作一个简单的手控触发控制板来代替控制保护屏。压敏电阻通流各量测试方法另定。
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. s7 `* z9 T4 c$ f0 S: O其余内容(包括低压状态的动态均压试验)都可以在中泉厂内试验。实验方法:低压状态的动态均压试验考虑问题较多,测试较复杂;系统响应时间测试需要修改控制 |
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