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检测中频电源IGBT模块判断IGBT的方法

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发表于 2013-1-26 15:51:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  1、判断极性  c! t/ ?; ]8 `, g% {5 ~2 u& B
, ]& k( G( u" U, A" C! n: E
  首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。2 K8 [/ y* I  F
  O3 Q+ l" p5 O% \6 T
  2、判断好坏
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6 X6 l% j& c+ `8 c% n0 Z. C' f  将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。  w+ z* q$ ]# i" l( d0 |; T. x

7 l1 B0 z5 f& Q! D6 c  3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
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