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[讨论] 问大牛!例题9绝缘子闪络程序的一些问题

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发表于 2010-11-27 21:24:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 ainiyzp 于 2010-11-27 21:28 编辑
) h( r* k) {+ T5 J1 }0 {% w$ ^* H$ U+ c% l8 M
INPUT UP, UN                   //说明常数量
. ^$ m% Y+ n% O6 a* lOUT CLOSE                      //说明常数量
/ B0 x7 Y( v, xDATA UINF {DFLT:650e3}, UO {DFLT: 1650e3}, TAU {DFLT:8.e-7}, UINIT {DFLT:1E5} /说明数据范围% R/ [  \6 R/ f! P! L) b  c( _
VAR  CLOSE, TT, U, FLASH     //申请变量
$ r, s2 \! B( K4 g9 Z6 j* t6 nINIT   //对变量初始化
* f- s# \- i/ R$ SCLOSE:=0
  t" D. G- L4 b8 C2 P6 V  TT:=0# q" z5 p4 U3 A( |4 \2 y  J
  FLASH:=INF //INF表示很大的数值6 M4 h# J7 `. [1 A$ L+ }6 x( C
ENDINIT   //初始化变量结束  d% x6 \* N+ Q8 d
EXEC     //程序开始标志' a5 t& s8 t- ]# s4 c7 Z: i
U:= ABS(UP-UN) //取绝对值. D  F2 r  k( o  r# }9 o7 G
IF (U>UINIT) THEN
% }8 L1 }- w9 J5 u1 U5 d    TT:=TT+timestep  //时间相加,Timestep是系统时间间隔                      / i7 D# t, l+ M: C+ M8 _6 u0 k
    FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))" |' |% k8 Y3 w1 Z3 a4 S5 r
    IF (U>FLASH) THEN CLOSE:=1 ENDIF           * b5 f$ i* m# e3 o$ U
  ENDIFENDEXEC //IF结束
$ V( S1 @  I- e: ]! u; CENDEXEC /程序结束
9 ]$ W. n9 ], F2 ]ENDMODEL//model 结束
+ I+ }, l" P) R% G8 e( ^/ \, ~现在要问的问题是,程序每句能看懂,如后面的解释,但是程序整体的作用看不懂,如UINF,U0,TAU分别代表什么意思?
2 {8 y' z# @* W4 F7 B! n+ C还有FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))这个表达式干什么用?FlASH是作用是什么?  b5 |. h3 \1 J2 A9 Q+ o
还有例题9,怎么解决雷电波反射的问题,还是例题9就没有考虑这个问题?0 E+ k3 n  H  p3 `; v; ]$ H
请大牛说明一下
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     楼主| 发表于 2010-11-28 10:15:41 | 显示全部楼层
    只能请版主现身一下
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    发表于 2010-11-28 11:01:43 | 显示全部楼层
    回复 1# ainiyzp 还有FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))这个表达式干什么用?FlASH是作用是什么?, |; q. G7 E" e1 _2 ?6 {- }. n9 y( B
    ! [9 {5 e5 ]  [+ Q/ n
    个人完全觉得FLASH表示的是绝缘子串的伏秒特性,U为绝缘子串上作用电压,这里用相交法判断绝缘子是否闪络:绝缘子串上的过电压波与伏秒特性曲线相交,即发生闪络,不相交就不闪络。此为人为处理法,有误差,但美国及欧洲一些国家采用此法所得的结果和运行经验基本相符合,故相交法应用较多。

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     楼主| 发表于 2010-11-28 17:10:40 | 显示全部楼层
    回复 3# xiaopingxp % x4 L) R6 ^" t  z8 x
    % B( G/ ?+ l2 z. l: D' v
    那UINF,U0,TAU分别代表什么意思?
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    LZ 还是不太懂啊  UINF,U0,TAU,UINIT分别代表什么意思 还是没答案嘛
    / O, g9 Z' I8 ^; D  F7 z还有为什么U先和UINIT比较,再和FLASH比较呢,TT是什么?
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    发表于 2012-5-1 10:13:41 | 显示全部楼层
    关注一下,版主很忙啊!
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    发表于 2012-5-1 10:42:42 | 显示全部楼层
    回复 5# weiyu
      f. E& {( I/ t1 U1 k/ l
    0 ]! g2 s# R, h! t) I- ~2 d, p1 U
    0 V3 F% `$ A& `/ W3 ]$ u, |4 ]    这个在ATPdraw里的说明书已经有了介绍,见209页, Models的这个模型描述了气体击穿的动态过程, h* N$ T& Z8 o& m
    U:= ABS(UP-UN) ------------- 绝缘子上的电压差& B8 W  f: y7 Y1 P, W  J
    IF (U>UINIT) THEN ----------- 如果压差超过了静态击穿电压,开始动态过程的计算
    * [5 \1 s% `2 J0 MTT:=TT+timestep0 `" ]8 t# S. [9 k" c3 a# A
    FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))0 Q# S7 y$ J4 Y% p6 F9 D
    IF (U>FLASH) THEN CLOSE:=1 ENDIF* P5 k8 [6 }: v
    ENDIF2 k  Y  q: w( ^8 o* ?, @
    一旦动态过程累计值超过临界值,绝缘子即被击穿,具体这个公式应该能在高压电书籍里查到吧,当然描绘击穿的公式可能会有很多,需要查找相关的文献
    ' j" E7 l9 U" F& f7 x) k" U; \( _% ^& {2 W: k& Z5 Y1 d- m# w5 {
    原文链接:https://tech.cepsc.com/viewthread.php?tid=29011&highlight=%C9%C1%C2%E7
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    发表于 2012-5-15 09:35:07 | 显示全部楼层
    你好,我也正在研究绝缘子如何在过电压作用下闪络的模型,可以一起交流吗?谢谢
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    发表于 2012-5-23 17:16:59 | 显示全部楼层
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