图解ATP的填卡建模

白夜风起

hy.atp 文件如下：
* B6 X/ G2 I6 r( L' k6 vBEGIN NEW DATA CASE
- V* w  c2 J  ~, yHYSTERESIS
$ERASE
3 @. @8 [( U$ RC ITYPE   LEVEL {Requst Armco M4 oriented silicon steel--only 1 availab}
    1       2
6 [6 X2 g- [5 R' R    500   1.0
$PUNCH
BLANK card ending

得到hy.pch文件：
C  <++++++>  Cards punched by support routine on  20-Aug-09  10:54:36  <++++++>
C HYSTERESIS
$ @6 n2 z7 Z& QC $ERASE
+ t( U9 j& \& d$ @% w8 z; }9 L! vC C ITYPE   LEVEL {Requst Armco M4 oriented silicon steel--only 1 availab}
C     1       2
8 g( G0 R6 D% l( z* T/ UC     500   1.0
-1.25000000E+02 -9.70588235E-01
/ Y7 ?+ O9 ]: g) @( _" W4 F$ a -1.56250000E+01 -9.19411765E-01
  9.37500000E+00 -8.47058824E-01
  2.18750000E+01 -6.58823529E-01
  4.21875000E+01  5.70588235E-01
* c' l; ~6 v( J) `  Z. j" p* ~  6.56250000E+01  7.52941176E-01
  1.12500000E+02  8.64705882E-01
$ K! [1 T  B  `& K) F  2.07812500E+02  9.41176471E-01
/ z3 _7 V/ \' V# b( F, C( Q3 W1 A9 R  5.00000000E+02  1.00000000E+00
  6.87500000E+02  1.00588235E+00
+ P7 x, L7 E1 w           9999.
仿真模型如下：

, @2 z5 Y9 Q0 i' x: P
磁滞回线如下：

仿真图如下：
0 a: ~+ w; w& n8 q4 X2 D( c/ K

shuzhiyun

非常感谢二位版主的热心指导、讲解。

ygyzi

长长见识哈~

电力新兵

多谢楼主热心授课！楼主辛苦了。

xmwswws

hoho，dongchch真厉害，继续研究中

sj04042029

1# dongchch[/
) z% g+ a0 S4 S9 A3 M8 d楼主，您好！我想问一下HYSTERESIS这个程序怎么调用啊！谢谢了！十分感谢！

Tony04

1# dongchch
' |; D1 L) n, w
问一下董版主，这个hy.atp文件是在哪里编辑和建立的？我找不到这个界面啊。
. h* u. S" r! p5 Z( u5 w# N
5 V% A/ B6 r3 R1 j4 i' S这个问题比较弱智，不要见怪，呵呵

dongchch

18# sj04042029
: s1 _  z6 h$ k" u, g8 n- V
其实就类似与编写程序, 在字处理文件里, 按照程序的语法(rulebook规定的卡片格式, HYSTERESIS子程序参考RB 19E)写好程序, 编译运行部分由atp内核来实现

dongchch

8 _, V' ]- K* y9 ^; T
: ~  o1 u, j  h3 c 19# Tony04
2 ]& ?2 R( T  P& o' E
' s' ?% w% {& ~" m我就是在windows自代的记事本里写的, 任何一个字处理程序都可以的

Tony04

1# dongchch

  M) H2 B! F- ]$ m% P这个填卡的界面是在哪里打开的？应该不是ATPDraw吧？谢谢