《电力电子技术》08年第12期论文总集

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《电力电子技术》08年第12期论文总集
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继往开来、重振我国电力电子器件研发领域的雄风——电力电子器件研发进展专辑特邀主编评述 陈治明; 1
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超结器件 陈星弼; 2-7
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) `3 P& o6 u7 t0 }( P+ R' q 基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究 谢治中;丁扣宝;何杞鑫; 8-9+7
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组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性 李双美;尹常永; 10-11+28
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一种新型ESD电压发生器的设计与调试 林中瑀;李沛林;王星辉;杨建红; 12-13+22
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专用高速高压驱动器设计 刘智;袁雅玲;刘存生;宁红英; 14-15+35
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3.5kA/400V高电流密度整流二极管的设计制造 夏吉夫;郭永亮;潘福泉; 16-17+25
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Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试 李平;唐勇;程勤玙; 18-19
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最佳结构6英寸UHVDC晶闸管 王正鸣;陆剑秋; 20-22
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4 g9 i* X' u! I8 h* c) K 静电感应晶闸管的I-V特性物理分析 魏万印;刘肃;李海蓉; 23-25
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热敏电压在车用整流二极管质量控制中的应用 张晓民;张玉华;潘福泉; 26-28
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" c+ P2 U4 I- Z! M" h5 W. G+ q 电源管理半导体 白继彬; 29-32
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# X& h. n' a& V5 N' P+ ~# z, b 金属全密封大电流三相整流模块的设计与制作 初宜亭;高雁; 33-35
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高压SOI器件介质场增强 李肇基;张波;罗小蓉;胡盛东; 36-38+56
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镀厚膜工艺技术研究 高建峰;邓宏洲;高山城;赵卫; 39-40
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4 H2 [4 K' `4 b 低应力厚膜SOI晶片研究 颜秀文;刘恺;刘东明;蓝镇立; 41+59
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掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析 刘静;高勇; 42-45
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& o. O" u* L0 y* a* L+ |; D 5kV非对称GCT的特性分析与设计 王彩琳;孙永生;张建仙; 46-48
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' P3 C7 m+ x- L3 Q) s% S4 [ 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析 王彩琳;孙丞; 49-51
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( B4 l  {' i( e 门极换流晶闸管关键技术的研究 王彩琳; 52-56