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论文文献
| 标题: |
《电力电子技术》08年第12期论文总集 |
| 作者: |
电力电子技术 |
| 所属专业方向: |
《电力电子技术》 |
| 摘要: |
1
继往开来、重振我国电力电子器件研发领域的雄风——电力电子器件研发进展专辑特邀主编评述 陈治明; 1
2
超结器件 陈星弼; 2-7
3
基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究 谢治中;丁扣宝;何杞鑫; 8-9+7
4
组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性 李双美;尹常永; 10-11+28
5
一种新型ESD电压发生器的设计与调试 林中瑀;李沛林;王星辉;杨建红; 12-13+22
6
专用高速高压驱动器设计 刘智;袁雅玲;刘存生;宁红英; 14-15+35
7
3.5kA/400V高电流密度整流二极管的设计制造 夏吉夫;郭永亮;潘福泉; 16-17+25
8
Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试 李平;唐勇;程勤玙; 18-19
9
最佳结构6英寸UHVDC晶闸管 王正鸣;陆剑秋; 20-22
10
静电感应晶闸管的I-V特性物理分析 魏万印;刘肃;李海蓉; 23-25
11
热敏电压在车用整流二极管质量控制中的应用 张晓民;张玉华;潘福泉; 26-28
12
电源管理半导体 白继彬; 29-32
13
金属全密封大电流三相整流模块的设计与制作 初宜亭;高雁; 33-35
14
高压SOI器件介质场增强 李肇基;张波;罗小蓉;胡盛东; 36-38+56
15
镀厚膜工艺技术研究 高建峰;邓宏洲;高山城;赵卫; 39-40
16
低应力厚膜SOI晶片研究 颜秀文;刘恺;刘东明;蓝镇立; 41+59
17
掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析 刘静;高勇; 42-45
18
5kV非对称GCT的特性分析与设计 王彩琳;孙永生;张建仙; 46-48
19
功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析 王彩琳;孙丞; 49-51
20
门极换流晶闸管关键技术的研究 王彩琳; 52-56 |
| 关键字: |
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| 来源: |
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《电力电子技术》08年第12期论文总集
; b! ?+ S( f6 |! M* H. { 1
W- j& v* e, }; m0 I6 G2 Z! s 继往开来、重振我国电力电子器件研发领域的雄风——电力电子器件研发进展专辑特邀主编评述 陈治明; 1 8 a( O% s% w" \3 E M
2 9 c- z5 r) l: s) b) R: O& {2 k1 d
超结器件 陈星弼; 2-7 , M) w u! Q1 x9 a, @
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+ h4 j2 ~2 o; ]8 i4 t& W 基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究 谢治中;丁扣宝;何杞鑫; 8-9+7
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组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性 李双美;尹常永; 10-11+28
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$ Q w# r1 f) y$ ]9 G! C 一种新型ESD电压发生器的设计与调试 林中瑀;李沛林;王星辉;杨建红; 12-13+22 ! x" n, H9 j2 u) S1 E# S$ d
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专用高速高压驱动器设计 刘智;袁雅玲;刘存生;宁红英; 14-15+35 # N9 w- |% P) E
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3.5kA/400V高电流密度整流二极管的设计制造 夏吉夫;郭永亮;潘福泉; 16-17+25
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+ R' l0 A7 [+ b* k9 u1 b Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试 李平;唐勇;程勤玙; 18-19 ; d# r. d6 \9 g% [) e# Y( ]/ J1 u
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( e2 x+ s1 j% J 最佳结构6英寸UHVDC晶闸管 王正鸣;陆剑秋; 20-22 % M7 Q3 A Y6 u Z* X
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! v( K5 W- n* \/ v) K 静电感应晶闸管的I-V特性物理分析 魏万印;刘肃;李海蓉; 23-25
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6 t/ }. v* G, C2 B" f 热敏电压在车用整流二极管质量控制中的应用 张晓民;张玉华;潘福泉; 26-28 & r1 `: _# C, K; k# z3 n- V
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w5 l! y$ O/ a2 `- N% b% e8 j 电源管理半导体 白继彬; 29-32
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8 k) y0 r, B8 r; s 金属全密封大电流三相整流模块的设计与制作 初宜亭;高雁; 33-35 J! ^4 {2 @. C: U; G
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高压SOI器件介质场增强 李肇基;张波;罗小蓉;胡盛东; 36-38+56 ! R T! w$ { ?
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镀厚膜工艺技术研究 高建峰;邓宏洲;高山城;赵卫; 39-40
% T, \3 {+ l( u: D# Z/ f3 `% { 16
7 C4 _2 Z) r, S$ c q- R 低应力厚膜SOI晶片研究 颜秀文;刘恺;刘东明;蓝镇立; 41+59 - Z% I/ [6 ?- J4 u/ r
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掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析 刘静;高勇; 42-45 9 |: n, S2 E. f9 T" w) _
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+ g" v5 d3 {- O* m1 |. d+ j 5kV非对称GCT的特性分析与设计 王彩琳;孙永生;张建仙; 46-48 1 Q1 s6 ^1 ^- y6 I4 C( S8 Q( |
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功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析 王彩琳;孙丞; 49-51
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# Z8 I/ N$ b# q& X0 ` 门极换流晶闸管关键技术的研究 王彩琳; 52-56 |
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5kV非对称GCT的特性分析与设计.rar
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高功率低重复率RSD器件结构与换流特性研究.rar
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高压SOI器件介质场增强.rar
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高压晶闸管表面造型技术的改进.rar
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基于新颖虚拟电网磁链观测器可控整流器控制.rar
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组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性.rar
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最佳结构6英寸UHVDC晶闸管.rar
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