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问大牛!例题9绝缘子闪络程序的一些问题

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发表于 2010-11-27 21:24:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 ainiyzp 于 2010-11-27 21:28 编辑
5 d' S( g' w+ X- r0 E- `7 S5 Y: v4 m% y: N
INPUT UP, UN                   //说明常数量  }8 W2 a- H0 l1 G7 W" H
OUT CLOSE                      //说明常数量
/ e5 g) }& u7 }/ O7 ~# e- xDATA UINF {DFLT:650e3}, UO {DFLT: 1650e3}, TAU {DFLT:8.e-7}, UINIT {DFLT:1E5} /说明数据范围. {8 g: j: Y: p; Z+ B" r
VAR  CLOSE, TT, U, FLASH     //申请变量
4 V7 X, H1 e. G' E9 @6 z. P1 nINIT   //对变量初始化
8 u' h2 }" a+ q% e! v1 PCLOSE:=09 k) z2 U2 c2 N' r  d' ~
  TT:=06 d& ?3 h2 e( q& O
  FLASH:=INF //INF表示很大的数值
0 r* p' L& L# d) ?+ D  PENDINIT   //初始化变量结束5 ?- e; }& ~: g; m9 V/ P
EXEC     //程序开始标志/ M3 s" @+ J& q% c. |2 a& Q
U:= ABS(UP-UN) //取绝对值
  b7 c; O( B6 W2 x6 O% f9 \& {IF (U>UINIT) THEN
" O+ }5 r! D' T* ~) z9 n; V' G' Y    TT:=TT+timestep  //时间相加,Timestep是系统时间间隔                     
% C' m+ o/ O' K5 p2 C    FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))
- I- H5 [6 _% A  X$ g! \5 }    IF (U>FLASH) THEN CLOSE:=1 ENDIF           0 f) Q9 \) c8 W4 ^' m* q! U( T
  ENDIFENDEXEC //IF结束
! W5 b2 K& C* ^! KENDEXEC /程序结束
  K4 b2 t9 S1 A" G& P: r' [4 ?5 fENDMODEL//model 结束7 n4 A# C7 a7 H: X
现在要问的问题是,程序每句能看懂,如后面的解释,但是程序整体的作用看不懂,如UINF,U0,TAU分别代表什么意思?9 B9 `- R  q; ?$ ]# [: t& X$ I1 F
还有FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))这个表达式干什么用?FlASH是作用是什么?
8 r$ V, ~) D) a- t: q& g% g还有例题9,怎么解决雷电波反射的问题,还是例题9就没有考虑这个问题?
" S: D9 {5 Z7 Z5 r9 \$ t请大牛说明一下
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    看不懂说的都是些什么。
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    谢谢了,学习中!
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     楼主| 发表于 2010-11-28 10:15:41 | 显示全部楼层
    只能请版主现身一下
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    发表于 2010-11-28 11:01:43 | 显示全部楼层
    回复 1# ainiyzp 还有FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))这个表达式干什么用?FlASH是作用是什么?
    0 _4 a1 e( e& n( I) `
    / h  y$ M9 g' D! r4 p个人完全觉得FLASH表示的是绝缘子串的伏秒特性,U为绝缘子串上作用电压,这里用相交法判断绝缘子是否闪络:绝缘子串上的过电压波与伏秒特性曲线相交,即发生闪络,不相交就不闪络。此为人为处理法,有误差,但美国及欧洲一些国家采用此法所得的结果和运行经验基本相符合,故相交法应用较多。

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     楼主| 发表于 2010-11-28 17:10:40 | 显示全部楼层
    回复 3# xiaopingxp 5 A: ^' l! a+ a9 J

    : L* z! |1 U* g, D" k那UINF,U0,TAU分别代表什么意思?
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    LZ 还是不太懂啊  UINF,U0,TAU,UINIT分别代表什么意思 还是没答案嘛 ( d0 o$ j& G" \$ s8 o9 K$ t( `
    还有为什么U先和UINIT比较,再和FLASH比较呢,TT是什么?
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    发表于 2012-5-1 10:13:41 | 显示全部楼层
    关注一下,版主很忙啊!
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    发表于 2012-5-1 10:42:42 | 显示全部楼层
    回复 5# weiyu + ~) |  y9 k: g$ R9 A

    1 A: v& ~4 v; x8 S( p) J" X/ L0 @; L9 k
        这个在ATPdraw里的说明书已经有了介绍,见209页, Models的这个模型描述了气体击穿的动态过程6 o! l9 H# H9 G1 Y2 K. W
    U:= ABS(UP-UN) ------------- 绝缘子上的电压差
    6 B! F! R0 P& ~4 Z! q+ I5 F( hIF (U>UINIT) THEN ----------- 如果压差超过了静态击穿电压,开始动态过程的计算
    ) _" v* y1 P9 v- Z' {5 V8 T/ gTT:=TT+timestep
    7 {0 N- z; x; KFLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))- d1 g6 C+ w! A9 n' M  ?/ w9 L; c
    IF (U>FLASH) THEN CLOSE:=1 ENDIF. c6 L$ q% a% r$ [# m
    ENDIF
    1 o; j& T) O- O4 y一旦动态过程累计值超过临界值,绝缘子即被击穿,具体这个公式应该能在高压电书籍里查到吧,当然描绘击穿的公式可能会有很多,需要查找相关的文献
    % n5 j. o( C& d
    7 M$ H0 g: R1 n% D7 Y' G7 D原文链接:https://tech.cepsc.com/viewthread.php?tid=29011&highlight=%C9%C1%C2%E7
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    发表于 2012-5-15 09:35:07 | 显示全部楼层
    你好,我也正在研究绝缘子如何在过电压作用下闪络的模型,可以一起交流吗?谢谢
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    发表于 2012-5-23 17:16:59 | 显示全部楼层
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    发表于 2012-8-22 22:53:51 | 显示全部楼层
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