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[讨论] 问大牛!例题9绝缘子闪络程序的一些问题

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发表于 2010-11-27 21:24:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 ainiyzp 于 2010-11-27 21:28 编辑
5 g% v1 B0 c  q* L5 |* b: ]4 U; L( K4 p* i: I
INPUT UP, UN                   //说明常数量) I$ k& Q: `) O  a
OUT CLOSE                      //说明常数量
/ R4 }+ }( S! k$ y- W/ [& {DATA UINF {DFLT:650e3}, UO {DFLT: 1650e3}, TAU {DFLT:8.e-7}, UINIT {DFLT:1E5} /说明数据范围
9 b( w  ^4 L( a( U( K. R' XVAR  CLOSE, TT, U, FLASH     //申请变量
) t% ?0 Z! a! m- A. @+ }- K/ ~INIT   //对变量初始化$ T6 w* h, i. n6 E. T' _3 G
CLOSE:=09 K7 \- a: {; c: z1 H
  TT:=0/ ^8 o  z6 m6 q/ d: j: i0 _* n. H5 p
  FLASH:=INF //INF表示很大的数值
0 m8 c4 Q/ p* {( ~+ c2 A9 rENDINIT   //初始化变量结束
! f5 e4 ?) F# L- AEXEC     //程序开始标志
! Q( A+ w+ r4 a0 J& w- d1 yU:= ABS(UP-UN) //取绝对值  [$ b6 t! F. K: A+ P- [
IF (U>UINIT) THEN , h3 f1 ?8 U2 d6 i' t& E: Y
    TT:=TT+timestep  //时间相加,Timestep是系统时间间隔                     
% a* s2 k  C- ]1 Z/ ^$ ?    FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))' G  r* l+ j# J# t/ A
    IF (U>FLASH) THEN CLOSE:=1 ENDIF           ) n' c4 p% x' X. ~; ~- a
  ENDIFENDEXEC //IF结束
+ J0 E9 T, y) w! Y  N( b- MENDEXEC /程序结束
4 N0 K$ N7 _& b& cENDMODEL//model 结束1 @& M' A/ ?: v9 _! j( F% S# v
现在要问的问题是,程序每句能看懂,如后面的解释,但是程序整体的作用看不懂,如UINF,U0,TAU分别代表什么意思?
; E5 `7 D/ W: `3 o还有FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))这个表达式干什么用?FlASH是作用是什么?+ w$ @" d, d2 p  z2 m7 @6 h1 Q! K
还有例题9,怎么解决雷电波反射的问题,还是例题9就没有考虑这个问题?
* M) @! y' O. G3 }" I请大牛说明一下
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    看不懂说的都是些什么。
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    谢谢了,学习中!
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     楼主| 发表于 2010-11-28 10:15:41 | 显示全部楼层
    只能请版主现身一下
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    发表于 2010-11-28 11:01:43 | 显示全部楼层
    回复 1# ainiyzp 还有FLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))这个表达式干什么用?FlASH是作用是什么?
    4 x: w  o2 w* c! o$ s. i
    6 h/ u% T7 X! G1 k个人完全觉得FLASH表示的是绝缘子串的伏秒特性,U为绝缘子串上作用电压,这里用相交法判断绝缘子是否闪络:绝缘子串上的过电压波与伏秒特性曲线相交,即发生闪络,不相交就不闪络。此为人为处理法,有误差,但美国及欧洲一些国家采用此法所得的结果和运行经验基本相符合,故相交法应用较多。

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     楼主| 发表于 2010-11-28 17:10:40 | 显示全部楼层
    回复 3# xiaopingxp ; M; z3 u$ k2 W/ g, U

    1 s$ |! J1 _  _; D% ]2 A8 x4 F那UINF,U0,TAU分别代表什么意思?
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    LZ 还是不太懂啊  UINF,U0,TAU,UINIT分别代表什么意思 还是没答案嘛
    ' r+ S( e6 R- ]2 m  X/ W还有为什么U先和UINIT比较,再和FLASH比较呢,TT是什么?
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    发表于 2012-5-1 10:13:41 | 显示全部楼层
    关注一下,版主很忙啊!
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    发表于 2012-5-1 10:42:42 | 显示全部楼层
    回复 5# weiyu
    3 U. O+ c1 M) n. l( S8 Z) Z
    / v6 F  F! m, n# m) U  X0 Q: W. P" N+ @* D8 S$ i9 o
        这个在ATPdraw里的说明书已经有了介绍,见209页, Models的这个模型描述了气体击穿的动态过程6 B- [' U7 P  _) j! P- C( j
    U:= ABS(UP-UN) ------------- 绝缘子上的电压差7 S3 U7 o' W: V) `' s6 o2 P: x3 p* F
    IF (U>UINIT) THEN ----------- 如果压差超过了静态击穿电压,开始动态过程的计算
    ' |/ j; y1 N7 \0 u% B5 J( sTT:=TT+timestep
    + x: K( {& `5 w' @! l% p. EFLASH:=(UINF + (UO-UINF)*(EXP(-TT/TAU)))
    7 V) ]* \' G9 H8 K! cIF (U>FLASH) THEN CLOSE:=1 ENDIF% q8 p* _8 F$ r! s4 o  I8 v1 O
    ENDIF3 @3 c7 u& h, f* R2 h
    一旦动态过程累计值超过临界值,绝缘子即被击穿,具体这个公式应该能在高压电书籍里查到吧,当然描绘击穿的公式可能会有很多,需要查找相关的文献
    # A3 q, w3 ?1 e# g' Z
    ; n$ o6 @6 v. z) e- i8 s原文链接:https://tech.cepsc.com/viewthread.php?tid=29011&highlight=%C9%C1%C2%E7
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    发表于 2012-5-15 09:35:07 | 显示全部楼层
    你好,我也正在研究绝缘子如何在过电压作用下闪络的模型,可以一起交流吗?谢谢
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    发表于 2012-5-23 17:16:59 | 显示全部楼层
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    发表于 2012-8-22 22:53:51 | 显示全部楼层
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