图解ATP的填卡建模

白夜风起

hy.atp 文件如下：
BEGIN NEW DATA CASE
HYSTERESIS
: U7 H5 ~9 s0 U- \$ERASE
6 ^% T( m( K& y0 @' bC ITYPE   LEVEL {Requst Armco M4 oriented silicon steel--only 1 availab}
    1       2
' n+ Z, o5 c4 r, F    500   1.0
$PUNCH
* V+ Y3 s' L3 r. ^( E: }2 v% OBLANK card ending
* i4 V; U3 y) V+ B
, ?  C- N: E% K6 j! r得到hy.pch文件：
C  <++++++>  Cards punched by support routine on  20-Aug-09  10:54:36  <++++++>
& N) [  f  n5 \5 l/ DC HYSTERESIS
( M, k0 J  N4 FC $ERASE
C C ITYPE   LEVEL {Requst Armco M4 oriented silicon steel--only 1 availab}
+ h# \# v$ C3 @; W+ Y. C1 H/ ~3 s  OC     1       2
( j5 [% F3 v; o  k* _C     500   1.0
/ M" Y7 j5 o5 J. c# y -1.25000000E+02 -9.70588235E-01
-1.56250000E+01 -9.19411765E-01
  9.37500000E+00 -8.47058824E-01
  2.18750000E+01 -6.58823529E-01
  4.21875000E+01  5.70588235E-01
  6.56250000E+01  7.52941176E-01
  1.12500000E+02  8.64705882E-01
7 ~0 A' J, }9 C# {' T! D  2.07812500E+02  9.41176471E-01
+ t* \6 w- J/ H5 l& N  5.00000000E+02  1.00000000E+00
# V0 K0 Y5 e6 t" y! N; @* X' S  6.87500000E+02  1.00588235E+00
: u4 k1 g5 _' G! {$ H           9999.
: v4 w& u/ v$ u! Y3 |仿真模型如下：

9 E% }2 V  E" i/ L# w
/ K# G5 W6 u. _1 t% _0 [磁滞回线如下：
! t5 B& Q/ M( c6 e1 s
仿真图如下：

shuzhiyun

非常感谢二位版主的热心指导、讲解。

ygyzi

长长见识哈~

电力新兵

多谢楼主热心授课！楼主辛苦了。

xmwswws

hoho，dongchch真厉害，继续研究中

sj04042029

1# dongchch[/
楼主，您好！我想问一下HYSTERESIS这个程序怎么调用啊！谢谢了！十分感谢！

Tony04

1# dongchch

5 j. F1 e) ]; F/ U. M问一下董版主，这个hy.atp文件是在哪里编辑和建立的？我找不到这个界面啊。

3 k4 t* x1 {& h  h6 ?这个问题比较弱智，不要见怪，呵呵

dongchch

18# sj04042029
9 E; W* O4 y+ N" ?5 y6 f" i
其实就类似与编写程序, 在字处理文件里, 按照程序的语法(rulebook规定的卡片格式, HYSTERESIS子程序参考RB 19E)写好程序, 编译运行部分由atp内核来实现

dongchch

$ D. S" U3 X' }3 A# p# t; a. O
19# Tony04
) u' E0 E" f" k
我就是在windows自代的记事本里写的, 任何一个字处理程序都可以的

Tony04

1# dongchch

这个填卡的界面是在哪里打开的？应该不是ATPDraw吧？谢谢