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论文文献
| 标题: |
《电力电子技术》08年第12期论文总集 |
| 作者: |
电力电子技术 |
| 所属专业方向: |
《电力电子技术》 |
| 摘要: |
1
继往开来、重振我国电力电子器件研发领域的雄风——电力电子器件研发进展专辑特邀主编评述 陈治明; 1
2
超结器件 陈星弼; 2-7
3
基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究 谢治中;丁扣宝;何杞鑫; 8-9+7
4
组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性 李双美;尹常永; 10-11+28
5
一种新型ESD电压发生器的设计与调试 林中瑀;李沛林;王星辉;杨建红; 12-13+22
6
专用高速高压驱动器设计 刘智;袁雅玲;刘存生;宁红英; 14-15+35
7
3.5kA/400V高电流密度整流二极管的设计制造 夏吉夫;郭永亮;潘福泉; 16-17+25
8
Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试 李平;唐勇;程勤玙; 18-19
9
最佳结构6英寸UHVDC晶闸管 王正鸣;陆剑秋; 20-22
10
静电感应晶闸管的I-V特性物理分析 魏万印;刘肃;李海蓉; 23-25
11
热敏电压在车用整流二极管质量控制中的应用 张晓民;张玉华;潘福泉; 26-28
12
电源管理半导体 白继彬; 29-32
13
金属全密封大电流三相整流模块的设计与制作 初宜亭;高雁; 33-35
14
高压SOI器件介质场增强 李肇基;张波;罗小蓉;胡盛东; 36-38+56
15
镀厚膜工艺技术研究 高建峰;邓宏洲;高山城;赵卫; 39-40
16
低应力厚膜SOI晶片研究 颜秀文;刘恺;刘东明;蓝镇立; 41+59
17
掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析 刘静;高勇; 42-45
18
5kV非对称GCT的特性分析与设计 王彩琳;孙永生;张建仙; 46-48
19
功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析 王彩琳;孙丞; 49-51
20
门极换流晶闸管关键技术的研究 王彩琳; 52-56 |
| 关键字: |
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| 来源: |
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《电力电子技术》08年第12期论文总集* ^7 e* R2 L5 C T3 A) a6 T
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继往开来、重振我国电力电子器件研发领域的雄风——电力电子器件研发进展专辑特邀主编评述 陈治明; 1
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9 g9 k7 d8 k( T P! z- u6 u8 \ 超结器件 陈星弼; 2-7 1 M3 B! e! r! q. L
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基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究 谢治中;丁扣宝;何杞鑫; 8-9+7 8 p1 k" ]0 B! L* b0 [, O
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: h) Z. O; }1 a) M0 v. o7 d- b) @ 组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性 李双美;尹常永; 10-11+28 , `2 J0 ~7 X+ G3 v# y2 E8 U
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一种新型ESD电压发生器的设计与调试 林中瑀;李沛林;王星辉;杨建红; 12-13+22 - c9 v S1 v7 D' Z) j
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$ l4 G, B9 }+ c% @- C4 f 专用高速高压驱动器设计 刘智;袁雅玲;刘存生;宁红英; 14-15+35
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3.5kA/400V高电流密度整流二极管的设计制造 夏吉夫;郭永亮;潘福泉; 16-17+25 8 H @0 `* n) [$ l
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Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试 李平;唐勇;程勤玙; 18-19
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最佳结构6英寸UHVDC晶闸管 王正鸣;陆剑秋; 20-22 + W) ~! p" _( a3 [4 k6 t" s# b
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静电感应晶闸管的I-V特性物理分析 魏万印;刘肃;李海蓉; 23-25 # |$ Z' F2 u$ N3 B! t
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. T. s/ q/ q% ~; C# d( s' c1 z% c 热敏电压在车用整流二极管质量控制中的应用 张晓民;张玉华;潘福泉; 26-28 + g* x4 v# h: D2 v: Q9 r D
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- \' S8 @% c( q0 S" W/ y9 E3 R Z6 f 电源管理半导体 白继彬; 29-32
$ Y* m* q3 X& L& v* D, W/ W 13
& D# U0 u& l$ z4 ?) V 金属全密封大电流三相整流模块的设计与制作 初宜亭;高雁; 33-35 + H: a, @- K8 A2 S) W v, k/ A% W
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6 @$ {) [7 W+ e. j& |1 Q! v+ a% Z 高压SOI器件介质场增强 李肇基;张波;罗小蓉;胡盛东; 36-38+56 - ?# H) U9 k5 S1 d) r- u
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镀厚膜工艺技术研究 高建峰;邓宏洲;高山城;赵卫; 39-40
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低应力厚膜SOI晶片研究 颜秀文;刘恺;刘东明;蓝镇立; 41+59
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掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析 刘静;高勇; 42-45
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5kV非对称GCT的特性分析与设计 王彩琳;孙永生;张建仙; 46-48
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功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析 王彩琳;孙丞; 49-51
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门极换流晶闸管关键技术的研究 王彩琳; 52-56 |
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高功率低重复率RSD器件结构与换流特性研究.rar
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高压SOI器件介质场增强.rar
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高压晶闸管表面造型技术的改进.rar
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基于新颖虚拟电网磁链观测器可控整流器控制.rar
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最佳结构6英寸UHVDC晶闸管.rar
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