白夜风起 发表于 2009-8-20 11:41:36

hy.atp 文件如下：
BEGIN NEW DATA CASE
HYSTERESIS
$ERASE
C ITYPE   LEVEL {Requst Armco M4 oriented silicon steel--only 1 availab}
    1       2
    500   1.0
$PUNCH
BLANK card ending

得到hy.pch文件：
C<++++++>Cards punched by support routine on20-Aug-0910:54:36<++++++>
C HYSTERESIS
C $ERASE
C C ITYPE   LEVEL {Requst Armco M4 oriented silicon steel--only 1 availab}
C   1       2
C   500   1.0
-1.25000000E+02 -9.70588235E-01
-1.56250000E+01 -9.19411765E-01
9.37500000E+00 -8.47058824E-01
2.18750000E+01 -6.58823529E-01
4.21875000E+015.70588235E-01
6.56250000E+017.52941176E-01
1.12500000E+028.64705882E-01
2.07812500E+029.41176471E-01
5.00000000E+021.00000000E+00
6.87500000E+021.00588235E+00
         9999.
仿真模型如下：


磁滞回线如下：

仿真图如下：

shuzhiyun 发表于 2009-8-20 13:10:39

非常感谢二位版主的热心指导、讲解。

ygyzi 发表于 2009-8-25 18:09:33

长长见识哈~

电力新兵 发表于 2009-8-26 16:40:47

多谢楼主热心授课！楼主辛苦了。

xmwswws 发表于 2009-9-9 15:36:19

hoho，dongchch真厉害，继续研究中

sj04042029 发表于 2009-9-11 10:08:40

1# dongchch[/
楼主，您好！我想问一下HYSTERESIS这个程序怎么调用啊！谢谢了！十分感谢！

Tony04 发表于 2009-9-11 16:23:59

1# dongchch

问一下董版主，这个hy.atp文件是在哪里编辑和建立的？我找不到这个界面啊。

这个问题比较弱智，不要见怪，呵呵

dongchch 发表于 2009-9-12 04:52:10

18# sj04042029

其实就类似与编写程序, 在字处理文件里, 按照程序的语法(rulebook规定的卡片格式, HYSTERESIS子程序参考RB 19E)写好程序, 编译运行部分由atp内核来实现

dongchch 发表于 2009-9-12 04:53:06

本帖最后由 dongchch 于 2009-9-12 04:55 编辑

19# Tony04

我就是在windows自代的记事本里写的, 任何一个字处理程序都可以的

Tony04 发表于 2009-9-14 09:37:59

1# dongchch

这个填卡的界面是在哪里打开的？应该不是ATPDraw吧？谢谢
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查看完整版本: 图解ATP的填卡建模

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