20#白夜风起 :实在很对不起，我确确实实没有，根本的原因，我10年以前学的是皮毛，而且是DOS的老套套软件。抱歉，我帮不了忙。请原谅。
本帖最后由 shuzhiyun 于 2009-8-4 09:35 编辑
你想做电流互感器的拐点和饱和区域的判别。我现在知道了，你大概还记得学校学习时：电流互感器的10％误差曲线是怎么回事？电流互感器一次与二次电流的关系曲线。你在仿真时，先画一个试验电流互感器一次与二次电流的关系曲线的电路图，再根据仿真软件要求准确填卡，电流逐步加大，做出一次与二次电流的关系曲线。然而，你改变二次侧阻抗，再做。你可能会发现，二次侧阻抗对饱和影响也挺大的。供参考。
当然，铁心的励磁特性也有很大关系，所以，在仿真时填磁化卡很重要。
22# shuzhiyun
呵呵，谢谢了，现在93号励磁曲线基本上搞定了，仿真结果也比较不错，但是对于磁滞回路影响的96号曲线还得进一步研究，填卡的时候还需要进一步参考下，手头没这个资料，唉只好自己一个一个琢磨。
祝你仿真成功。你是不是可以再发一个仿真图让大家学习学习。
呵呵 我截一两个图出来，昨天很多图我都没保存好，qq打不开。中间的为负载电流，畸变的是饱和时，励磁元件流通的电流。
填卡电流与磁通曲线如下
昨天还仿真出了暂态衰变特性，时间与填卡中的第一页中两个参数的比值有关，前者增大，后者成反比。同时又与负载有一定的关系。图形我等我下次传上。
27# 白夜风起
谢谢楼主的图片讲解！论坛里学保护的非常多，这个帖子对大家非常有益，rule book已发过去了，欢迎你继续来讨论！
22# shuzhiyun
呵呵，谢谢了，现在93号励磁曲线基本上搞定了，仿真结果也比较不错，但是对于磁滞回路影响的96号曲线还得进一步研究，填卡的时候还需要进一步参考下，手头没这个资料，唉只好自己一个一个琢磨。 ...
白夜风起 发表于 2009-8-4 22:00 https://tech.cepsc.com/images/common/back.gif
由于rule book里大部分章节都是扫描的，查阅不是很方便，磁滞需要调用HYSTERESIS子程序，在RB 19E章节
我现在把几个暂态衰变饱和的仿真图贴出来：
Ia t curr flux RES
31.911 0.035s 1 0.5 400
26.049 0.0551s 1 0.5 200
41.379 0.1157s 2 0.5 200
47.199 0.1151s 2 0.5 400
50.06 0.0563s 2 0.5 800
35.387 0.0563s 1 0.5 800
Ia是指最大起始脉冲值，至于衰减趋于稳定饱和时的值大家可以看图。
t为衰减时间。
图形如下：一一对应（应该是一一对应的，呵呵）
