关于击穿场强随气隙的减小而明显增加的原因
在提高局部放电电压的措施里有一条是 尽量消除气隙或者减小气息的尺寸,因为气隙的击穿场强随气隙厚度的减小而明显提高。关于这个措施里的气隙的击穿场强随气隙厚度的减小而明显提高,难道原因是因为随着气隙的减小以后,气隙中的场强逐渐变成均匀电场使击穿电压 提高吗??
理解起来有些难度,总感觉气隙越小越容易击穿,高手给指点一下迷津-%-45885-%--%-49353-%--%-49466-%- 我认为可以这样理解,气隙相当于一电容,气隙小相当电容值小,所以同样条件下电场能量积累小,不知有没有道理,同样期待高手指点 我想应该是气隙中的场强逐渐变成均匀电场从而使击穿电压提高的。
类似与利用空间电荷畸变电场的作用来改善电场分布中提到的西线效应。
我也同样期待高手赐教。 二楼的讲的有点道理,但是又不完全是这样,应该是均匀场电介质击穿。 气隙小确实是容易击穿,但是只是击穿电压小,而不是击穿场强变小了,由于气隙变小,气隙间电场变得比较均匀,所以击穿场强会变大 呵呵,各位可以去看看介质击穿的40代理论。电子在电场中的碰撞电离以及雪崩过程能否进行完全,就已经进入电极 击穿场强=击穿电压 / 距离;总感觉气隙越小越容易击穿
看看
谢谢
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